BUK9M6R6-30EX
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NXP USA Inc. BUK9M6R6-30EX
| Artikelnummer: | BUK9M6R6-30EX |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Freescale / NXP Semiconductors |
| Teil der Beschreibung.: | BUK9M6R6-30E - N-CHANNEL 30V, LO |
| Datenblätte: |
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NXP USA Inc. BUK9M6R6-30EX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BUK9M6R6-30EX.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Vgs (Max) ±10V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse LFPAK33 Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 75W (Tc) Verpackung / Gehäuse SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2001 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) -
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